对于EUV光刻机的研发,困难很多,主要还是在光源这块。
陈怀庆并不急迫,也没有想着说,EUV光刻机在短时间就能够搞定。
他心理的预期,在二十年内研发成功,那就完全的没有问题。
毕竟,EUV光刻机主要用于10纳米以下。
但是也并不是就只有EUV光刻机能够实现10纳米以下制程,像是DUV光刻机,最高能够实现7纳米制程节点。
甚至陈怀庆还知道,就民用产品而言,14纳米的芯片,性能上面已经够用,甚至可以说,在性能上还过剩。
依照现在墨塔微电的发展形势来讲,陈怀庆不觉得说,以后掌握14纳米光刻机技术有任何的问题。
就技术而言,墨塔微电在全球光刻机领域,也是第一梯队的。
特别是后道光刻机领域,墨塔微电属于全球第一的存在,其他光刻机企业根本就没法和墨塔微电进行竞争。
优势太过于明显了。
技术优势和价格优势,这两样可是属于核心优势,在市场竞争当中直接打得对手毫无还手之力。
很顺理成章的就把市场给占了。
八九十年代的时候,全球光刻机企业有数十家之多,而到了现在,已经就只剩下数家。
主要在霓虹、华国、北美和欧洲。
至于说全球其他地区,已经在这块没有资格了。
技术门槛和技术壁垒都太高了,根本就不是一般国家,能够玩得转的东西。
注意,这里不是说的企业!
企业很强,但是在国家面前,再强的企业也很弱。
第四代深紫外光(DUV)ArF光源已经研发成功了,现在就剩下不断的进行完善。
墨塔微电的ArF光源光刻机研发进展的也相当顺利。能够如此的顺利,和墨塔微电集合了整个华国的最尖端人才,以及获得国家力量全力支持有着决定性的关系。
另外还有一点,就是最近十几年时间里面,墨塔微电联合各所大学,对人才进行了专项的培养。
大量的优秀理工科大学生毕业生源源不断的加入到墨塔微电。
“第四代光源光刻机预计能够将芯片制程工艺推进到65纳米。”
意味着,在未来五年时间里面,华国在半导体领域,都不用担心被人超越,一直保持在全球第一梯队上面。
“老板,这是我们浸润式DUV光刻机样机。”
此时,全球范围内,现在主要的都是干式光刻机,以空气为介质,193nm波长的光线,直接进行光刻。
而浸润式技术即在光刻机中,采用水为介质,让193nm波长的光线,进入水中进行折射后,让波长变成132纳米,从而实现从45nm-10nm级别的光刻。
墨塔微电在之前的时候,自然也是搞的干式光刻机,而在干式光刻机领域,康尼和能佳属于超级巨头。
墨塔微
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